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Ätzchemie

NBT hat Ätzchemie zum Entfernen oder Strukturieren von Metallen entwickelt. Dabei unterscheiden sich die Anforderungen an die Chemie je nach Prozessablauf und Anwendung z.B. Opferschichtentfernung, Startschichtentfernung oder -strukturierung).

Bei der Startschichtentfernung nach der galvanischen Abscheidung sind die Selektivität zu den anderen Metallen und der geringe Strukturabtrag wichtig. Bei der Startschichtstrukturierung vor der galvanischen Abscheidung ist die Kompatibilität zum Resist entscheidend.

etching solutions.pdf

Ätzlösung Anwendung Merkmale
Au etch 100 Startschichtstrukturierung/-entfernung Zyanid-basiert, minimale Unterätzung, Selektivität zu vielen Metallen und Materialien, kompatibel zum Resist
Au etch 200 Startschichtstrukturierung/-entfernung Ungiftig, Zyanidfrei, minimale Unterätzung, Selektivität zu vielen Metallen und Materialien, kompatibel zum Resist
Au etch 300 Startschichtstrukturierung/-entfernung Ungiftig, Jodbasiert, einache Anwendung, signifikante Unterätzung, eingeschränkte Selektivität zu galvanisierten Metallen, kompatibel zum Resist
Cr etch 100 Haftschicht-Ätzung (nach galvanischer Abscheidung) Basische Lösung, hohe Selektivität zu vielen Materialien, nicht kompatibel zum Resist
Cr etch 200 Haftschicht-Strukturierung (Resist Maske) Basische Lösung, hohe Selektivität zu vielen Metallen, kompatibel zum Resist , geeignet zur Strukturierung
TiW etch 100 Haftschicht-Strukturierung (Resist Maske) geringe Unterätzung, Selektivität zu vielen Metallen und Materialien, kompatibel zum Resist
TiW etch 200 Strukturierung der Diffusionsbarriere (Resist Maske) geringe Unterätzung, Selektivität zu vielen Metallen und Materialien, kompatibel zum Resist
Cu etch 100 Startschichtstrukturierung/-entfernung
Opferschichtätzung
Alkalisches Ätzmittel, zur Ätzung und Strukturierung dicker Cu-Schichten, kompatibel zum Resist, selektiv zu Ni, Cu, Sn Ti, Cr, Si, Si2N4, SiO2, starke Unterätzung
Cu etch 200 UBM Startschichtentfernung zum Entfernen dünner Schichten, sehr geringer Dimensionsverlust der galvanisierten Kupferseitenwände, Selektivität zu vielen Metallen und Materialien,kompatibel zum Resist
Cu etch 300 Startschichtstrukturierung (Resist Maske) zum Strukturieren dünner Cu-Schichten und zum Ätzen von TiW, geringe Unterätzung, kompatibel zum Resist, selektiv zu Au, Ni, Cr, Ti
Cu etch 500 Startschichtentfernung zum Entfernen dünner Schichten, sehr geringer Dimensionsverlust der galvanisierten Kupferseitenwände, halbleiterkompatibel, nicht kompatibel zum Resist
TiW Ätzung nach Galvanik; Galvanik Cu/Ni/Au auf TiW/Cu Startschicht; Keine Unterätzung des TiW; Geringer Dimensionsverlust des Cu (~1µm)
Cu Startschicht Ätzung nach Galvanik; Galvanik Cu/Ni/Au auf TiW/Cu Startschicht; Kein Dimensionsverlust des galvanischen Cu
Startschichtstrukturierung vor der Galvanik; Cr/Au Startschicht von der Rückseite eines Glasswafer; geringe Unterätzung, 1µm Strukturen aufgelöst
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