StartseiteSitemap
 
Ätzchemie

NBT hat Ätzchemie zum Entfernen oder Strukturieren von Metallen entwickelt. Dabei unterscheiden sich die Anforderungen an die Chemie je nach Prozessablauf und Anwendung z.B. Opferschichtentfernung, Startschichtentfernung oder -strukturierung).

Bei der Startschichtentfernung nach der galvanischen Abscheidung sind die Selektivität zu den anderen Metallen und der geringe Strukturabtrag wichtig. Bei der Startschichtstrukturierung vor der galvanischen Abscheidung ist die Kompatibilität zum Resist entscheidend.

etching solutions.pdf

Ätzlösung Anwendung Merkmale
Au etch 200 Startschichtstrukturierung
Startschichtentfernung
ungiftig, zyanidfrei, minimale Unterätzung, Lack-kompatibel, Selektivität zu vielen Metallen und Materialien wie Ni, Cr, Ti, Ta, Pt; Cu wird geätzt); 50°C
Au etch 300
     (auf Anfrage)
Bulk Ätzungen
Startschichtstrukturierung
Startschichtentfernung
ungiftig, Jod-basiert, einache Anwendung, Lack-kompatibel, signifikante Unterätzung, (eingeschränkte) Selektivität zu galvanisierten Metallen wie Cr, Ti; (Ni und Cu werden geätzt)
Cr etch 200 Strukturierung Haftvermittler
(Lackmaske)
basische Lösung, Lack-kompatibel, RT, hohe Selektivität zu vielen Metallen wie Au, Pt, Ta, Ti, Ni, Cu; (Ag wird geätzt)
TiW etch 100 Entfernung Diffusionsbarriere
Lack-kompatibel, geringe Unterätzung, enthält Fluorid, RT, Selektivität zu vielen Metallen und Materialien wie Au, Ni, Cr, Sn; (Al und Cu mit Einschränkungen)
TiW etch 200 Strukturierung Diffusionsbarriere
(Lackmaske)
Lack-kompatibel, geringe Unterätzung, kein Fluorid, RT, Selektivität zu vielen Metallen und Materialien wie Au, Cr, Ni; (Cu wird geätzt)
Cu etch 100 Entfernung Opferschicht alkalisches Ätzmittel, Lack-kompatibel zur Ätzung und Strukturierung dicker Kupferschichten, starke Unterätzung, RT, selektiv zu Ni, Au, Ag, Al, Sn, Ti, Ta, Cr, Si, Si2N4, SiO2
Cu etch 150 Startschichtstrukturierung
Startschichtentfernung
alkalisches Ätzmittel, Lack-kompatibel (z.B. Strukturierung Kupferstartschicht), selektiv zu Ni, Au, Ag, Al, Sn, Ti, Ta, Cr, Si, Si2N4, SiO2
Cu etch 200 UBM Startschichtstrukturierung
(Lackmaske)
Strukturierung dünner Kupferschichten, sehr geringe Unterätzung, Lack-kompatibel, Selektivität zu Au, Ni, Cr, Ti, Ta, Sn, Al, Pt
AX 100 Aktivator zum Galvanisieren von
Nickel auf Nickel
Saure Vortauchlösung, 40°C Anwendung verbessert die Haftung von Nickel auf Nickel signifikant
TiW Ätzung nach Galvanik; Galvanik Cu/Ni/Au auf TiW/Cu Startschicht; Keine Unterätzung des TiW; Geringer Dimensionsverlust des Cu (~1µm)
Cu Startschicht Ätzung nach Galvanik; Galvanik Cu/Ni/Au auf TiW/Cu Startschicht; Kein Dimensionsverlust des galvanischen Cu
Startschichtstrukturierung vor der Galvanik; Cr/Au Startschicht von der Rückseite eines Glasswafer; geringe Unterätzung, 1µm Strukturen aufgelöst
Home  Impressum  Haftungsausschluss  Sitemap  Suche  AGB | © 2010 nb technologies | letzte Aktualisierung: 11. August 2017